TK35N65W5,S1F - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TK35N65W5,S1F
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	35A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 2.1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	115nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	4100pF @ 300V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	270W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	95 mOhm @ 17.5A, 10V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-247
Упаковка / чехол	TO-247-3
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	TK35N65W,S1F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 650V 35A TO-247	подробности
	TK35N65W5,S1F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 650V 35A TO-247	подробности