TK290P60Y,RQ - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TK290P60Y,RQ
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	11.5A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 450µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	25nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	730pF @ 300V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	100W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	290 mOhm @ 5.8A, 10V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	DPAK
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
TK290A60Y,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD	подробности
TK290A65Y,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD	подробности
TK290P60Y,RQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD	подробности
TK290P65Y,RQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD	подробности