TK18E10K3,S1X(S - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TK18E10K3,S1X(S
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	18A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	33nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	-
Vgs (Макс.)	-
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	-
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	42 mOhm @ 9A, 10V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220-3
Упаковка / чехол	TO-220-3
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	TK18E10K3,S1X(S	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB	подробности