TK17E65W,S1X - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TK17E65W,S1X
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	17.3A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 900µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	45nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1800pF @ 300V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	165W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 8.7A, 10V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220
Упаковка / чехол	TO-220-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
TK17021LTL	TOKO	TK17021LTL TOKO SOT-8 New Original Stocks	подробности
TK17030MTL	TOKO	TK17030MTL TOKO SOT-8 New Original Stocks	подробности
TK17040MTL	TOKO	TK17040MTL TOKO SOT-8 New Original Stocks	подробности
TK1705800000G	Amphenol Anytek	TERM BLK 17P SIDE ENTRY 5MM PCB	подробности
TK17119FTL	TOKO	TK17119FTL TOKO SON8 New Original Stocks	подробности
TK17A80W,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3	подробности
TK17E65W,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB	подробности
TK17E80W,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3	подробности
TK17N65W,S1F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247	подробности