TK16E60W5,S1VX - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TK16E60W5,S1VX
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	15.8A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 790µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	43nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1350pF @ 300V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	130W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	230 mOhm @ 7.9A, 10V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220
Упаковка / чехол	TO-220-3
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	TK16E60W,S1VX	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220	подробности
	TK16E60W5,S1VX	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 15.8A TO-220AB	подробности