TK13A60D(STA4,Q,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TK13A60D(STA4,Q,M)
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	13A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	40nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	2300pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	50W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	430 mOhm @ 6.5A, 10V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220SIS
Упаковка / чехол	TO-220-3 Full Pack
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
TK13A60D	TOSHIBA	TK13A60D TOSHIBA TO-220 New Original Stocks	подробности
TK13A60D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS	подробности
TK13A65U	TOSHIBA	TK13A65U TOSHIBA TO-220.. New Original Stocks	подробности
TK13A65U(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 650V 13A TO-220SIS	подробности