RN2712JE(TE85L,F)

RN2712JE(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части
RN2712JE(TE85L,F)
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Краткое описание
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
RN2712JE(TE85L,F) Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
10000 pcs
Справочная цена
USD 0.0882/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку RN2712JE(TE85L,F)

RN2712JE(TE85L,F) Подробное описание

номер части RN2712JE(TE85L,F)
Статус детали Active
Тип транзистора 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 50V
Резистор - основание (R1) (Ом) 22k
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) -
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
Частота - переход 200MHz
Мощность - макс. 100mW
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол SOT-553
Пакет устройств поставщика ESV
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ RN2712JE(TE85L,F)