RN1962FE(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части: RN1962FE(TE85L,F)
производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Краткое описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных: RN1962FE(TE85L,F) Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл: -
категория: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
Срок поставки: 1 Day
Код даты: New
Количество на складе: 4054 pcs
Справочная цена: USD 0/pcs
Наша цена: Отправить по электронной почте: [email protected]

номер части	RN1962FE(TE85L,F)
Статус детали	Obsolete
Тип транзистора	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	100mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	50V
Резистор - основание (R1) (Ом)	10k
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом)	10k
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	50 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Ток - отсечка коллектора (макс.)	100nA (ICBO)
Частота - переход	250MHz
Мощность - макс.	100mW
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	SOT-563, SOT-666
Пакет устройств поставщика	ES6
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
RN1962FE	TOSHIBA	RN1962FE TOSHIBA SOT23-.. New Original Stocks	подробности
RN1962FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6	подробности
RN1962TE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6	подробности