RN1116(TE85L,F)

RN1116(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части
RN1116(TE85L,F)
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Краткое описание
TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
RN1116(TE85L,F) Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
7500 pcs
Справочная цена
USD 0.0507/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку RN1116(TE85L,F)

RN1116(TE85L,F) Подробное описание

номер части RN1116(TE85L,F)
Статус детали Active
Тип транзистора NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 50V
Резистор - основание (R1) (Ом) 4.7k
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) 10k
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 500nA
Частота - переход 250MHz
Мощность - макс. 100mW
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол SC-75, SOT-416
Пакет устройств поставщика SSM
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ RN1116(TE85L,F)