• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Диоды - РФ › JDP4P02AT(TE85L)
JDP4P02AT(TE85L)

JDP4P02AT(TE85L) - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части
JDP4P02AT(TE85L)
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Краткое описание
SWITCHING DIODE 30V INDEPENDENT
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
JDP4P02AT(TE85L) Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Диоды - РФ
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
3531 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку JDP4P02AT(TE85L)

JDP4P02AT(TE85L) Подробное описание

номер части JDP4P02AT(TE85L)
Статус детали Obsolete
Тип диода PIN - 2 Independent
Напряжение - Реверс пика (макс.) 30V
Текущий - Макс. 50mA
Емкость @ Vr, F 0.4pF @ 1V, 1MHz
Сопротивление @ Если, F 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz
Рассеиваемая мощность (макс.) -
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Упаковка / чехол 4-SMD, Flat Leads
Пакет устройств поставщика TESQ
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ JDP4P02AT(TE85L)

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
JDP4P02AT(TE85L) JDP4P02AT(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage SWITCHING DIODE 30V INDEPENDENT подробности