GT8G133(TE12L,Q)

GT8G133(TE12L,Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части
GT8G133(TE12L,Q)
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Краткое описание
IGBT 400V 600MW 8TSSOP
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
GT8G133(TE12L,Q) Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
GT8G133(TE12L,Q).pdf
категория
Транзисторы - IGBT - Single
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
3740 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку GT8G133(TE12L,Q)

GT8G133(TE12L,Q) Подробное описание

номер части GT8G133(TE12L,Q)
Статус детали Obsolete
Тип IGBT -
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 400V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) -
Текущий - коллектор импульсный (Icm) 150A
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.9V @ 4V, 150A
Мощность - макс. 600mW
Энергия переключения -
Тип ввода Standard
Ворота затвора -
Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C 1.7µs/2µs
Условия тестирования -
Время обратного восстановления (trr) -
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Пакет устройств поставщика 8-TSSOP
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ GT8G133(TE12L,Q)