2SK3466(TE24L,Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	2SK3466(TE24L,Q)
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	500V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	5A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	17nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	780pF @ 10V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	50W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 5A, 10V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TFP (9.2x10.7)
Упаковка / чехол	SC-97
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
2SK3462	TOSHIBA	2SK3462 TOSHIBA SOT252 New Original Stocks	подробности
2SK3462(TE16L1,NQ)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD	подробности
2SK3466	TOSHIBA	2SK3466 TOSHIBA SC-97 New Original Stocks	подробности
2SK3466(TE24L,Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 500V 5A SC-97	подробности
2SK3467	NEC	2SK3467 NEC TO-263 New Original Stocks	подробности
2SK3468	FUJI	N CHANNEL SILICON POWER MOSFET	подробности
2SK3468-01	FUJI	N CHANNEL SILICON POWER MOSFET	подробности
2SK3469	FUJI	N CHANNEL SILICON POWER MOSFET	подробности
2SK3469-01	FUJI	N CHANNEL SILICON POWER MOSFET	подробности
2SK3469-01MR	FUJI	N CHANNEL SILICON POWER MOSFET	подробности