2SK2009TE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	2SK2009TE85LF
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	200mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	-
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	70pF @ 3V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	200mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 50MA, 2.5V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SC-59-3
Упаковка / чехол	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
2SK2000	FUJI	Power MOSFET	подробности
2SK2000-R	FUJI	Power MOSFET	подробности
2SK2002-01MR	FUJI	N-channel MOS-FET	подробности
2SK2003-01MR	FUJI	N-channel MOS-FET	подробности
2SK2004-01L	FUJI	N-channel MOS-FET	подробности
2SK2004-01S	FUJI	N-channel MOS-FET	подробности
2SK2009	TOS	2SK2009 TOS SOT-23 New Original Stocks	подробности
2SK2009(TE85L)	ORIGINAL	2SK2009(TE85L) ORIGINAL SOT23 New Original Stocks	подробности
2SK2009TE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI	подробности
2SK2018	FUZI	2SK2018 FUZI SOT-25.. New Original Stocks	подробности