2SJ360(F)

2SJ360(F) - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части
2SJ360(F)
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Краткое описание
MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
2SJ360(F) Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
2SJ360(F).pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
3619 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку 2SJ360(F)

2SJ360(F) Подробное описание

номер части 2SJ360(F)
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 6.5nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 155pF @ 10V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 500mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 730 mOhm @ 500mA, 10V
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PW-MINI
Упаковка / чехол TO-243AA
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ 2SJ360(F)