2SC3326-A,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	2SC3326-A,LF
Статус детали	Active
Тип транзистора	NPN
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	300mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	20V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic	100mV @ 3mA, 30mA
Ток - отсечка коллектора (макс.)	100nA (ICBO)
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	200 @ 4mA, 2V
Мощность - макс.	150mW
Частота - переход	30MHz
Рабочая Температура	125°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика	TO-236
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
2SC3000	SAY	2SC3000 SAY TO-92 New Original Stocks	подробности
2SC3007	EXSHINE	SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)	подробности
2SC3011	KEXIN	Silicon NPN Epitaxial	подробности
2SC3012	EXSHINE	PNP SILICON EPITAXIAL/NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR	подробности
2SC3013	RENESAS	2SC3013 RENESAS SOT-23 New Original Stocks	подробности
2SC3015	RENESAS	2SC3015 RENESAS SOT-23 New Original Stocks	подробности
2SC3030	FUJI	TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH POWER DARLINGTON HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING	подробности
2SC3031	EXSHINE	High speed switching transistor	подробности
2SC3032	EXSHINE	High speed switching transistor	подробности
2SC3033	EXSHINE	High speed switching transistor	подробности