2SA1931,NETQ(J - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	2SA1931,NETQ(J
Статус детали	Last Time Buy
Тип транзистора	PNP
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	5A
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	50V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic	400mV @ 200mA, 2A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	1µA (ICBO)
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	100 @ 1A, 1V
Мощность - макс.	2W
Частота - переход	60MHz
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	TO-220-3 Full Pack
Пакет устройств поставщика	TO-220NIS
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
2SA1900	ROHM	2SA1900 ROHM SOT89 New Original Stocks	подробности
2SA1900T100Q	Rohm Semiconductor	TRANS PNP 50V 1A SO-89	подробности
2SA1902	ROHM	1.2W PACKAGE POWER TAPED TRANSISTOR DESIGNED FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MECHINE	подробности
2SA1903	ROHM	1.2W PACKAGE POWER TAPED TRANSISTOR DESIGNED FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MECHINE	подробности
2SA1906	ROHM	2SA1906 ROHM TO-263 New Original Stocks	подробности
2SA1907	Sanken	TRANS PNP 80V 6A TO3PF	подробности
2SA1908	Sanken	TRANS PNP 120V 8A TO3PF	подробности
2SA1909	Sanken	TRANS PNP 140V 10A TO3PF	подробности
2SA1923	TOSHIBA	2SA1923 TOSHIBA SOT-25.. New Original Stocks	подробности
2SA1928	ISAHAYA	FOR LOW NOISE DIFFERENTIAL AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE	подробности