| номер части | CSD25211W1015 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 20V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 3.2A (Ta) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 4.1nC @ 4.5V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 570pF @ 10V |
| Vgs (Макс.) | -6V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1W (Ta) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | 6-DSBGA (1x1.5) |
| Упаковка / чехол | 6-UFBGA, DSBGA |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
CSD25201W15 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA | подробности |
|
CSD25202W15 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA | подробности |
|
CSD25202W15T | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA | подробности |
|
CSD25211W1015 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA | подробности |
 |
CSD25213W10 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA | подробности |
|
CSD25301W1015 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA | подробности |
 |
CSD25302Q2 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 5A 6SON | подробности |
|
CSD25303W1015 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA | подробности |
|
CSD25304W1015 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA | подробности |
|
CSD25304W1015T | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA | подробности |
