| номер части | TSM80N1R2CI C0G |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 800V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 5.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 1.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 19.4nC @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±30V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 685pF @ 100V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 25W (Tc) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | ITO-220AB |
| Упаковка / чехол | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
TSM802 | TSC | 20V N-Channel MOSFET w/ESD Protected | подробности |
|
TSM802CQRK | TSC | 20V N-Channel MOSFET w/ESD Protected | подробности |
|
TSM802CQRKG | TSC | 20V N-Channel MOSFET w/ESD Protected | подробности |
|
TSM802CQRV | TSC | 20V N-Channel MOSFET w/ESD Protected | подробности |
|
TSM802CQRVG | TSC | 20V N-Channel MOSFET w/ESD Protected | подробности |
 |
TSM80N08CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 75V 80A TO220 | подробности |
 |
TSM80N1R2CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 800V 5.5A TO251 | подробности |
|
TSM80N1R2CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220 | подробности |
 |
TSM80N1R2CL C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S | подробности |
.jpg "TSM80N1R2CP ROG") |
TSM80N1R2CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252 | подробности |
