| номер части | S5D M6G |
|---|---|
| Статус детали | Not For New Designs |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 200V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 5A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.15V @ 5A |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 1.5µs |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 10µA @ 200V |
| Емкость @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | DO-214AB, SMC |
| Пакет устройств поставщика | DO-214AB (SMC) |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
S5D | TSC | 5.0 AMPS. Surface Mount Rectifiers | подробности |
|
S5D M6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 200V 5A DO214AB | подробности |
|
S5D R7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 200V 5A DO214AB | подробности |
|
S5D V6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 200V 5A DO214AB | подробности |
|
S5D V7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 200V 5A DO214AB | подробности |
 |
S5D-E3/57T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 5A DO214AB | подробности |
|
S5D-E3/9AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 5A DO214AB | подробности |
|
S5D-M3/57T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 5A 200V DO-214AB | подробности |
|
S5D-M3/9AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 5A 200V DO-214AB | подробности |
|
S5D2400X01-TO | SAMSUNG | S5D2400X01-TO SAMSUNG QFP New Original Stocks | подробности |
