| номер части | S2GHM4G |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 400V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 2A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.15V @ 2A |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 1.5µs |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 1µA @ 400V |
| Емкость @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | DO-214AA, SMB |
| Пакет устройств поставщика | DO-214AA (SMB) |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
S2G | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA | подробности |
|
S2G M4G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA | подробности |
|
S2G R5G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA | подробности |
 |
S2G-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 1.5A SMB | подробности |
|
S2G-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 1.5A SMB | подробности |
 |
S2G-E3/1 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA | подробности |
|
S2G-E3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA | подробности |
|
S2G-E3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA | подробности |
 |
S2G-LTP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 400V DO214AA | подробности |
|
S2G-M3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1.5A 400V DO-214AA | подробности |
