GBU803HD2G - Taiwan Semiconductor Corporation

номер части	GBU803HD2G
Статус детали	Active
Тип диода	Single Phase
Технологии	Standard
Напряжение - Реверс пика (макс.)	200V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	8A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.1V @ 8A
Текущий - обратный утечек @ Vr	5µA @ 200V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	4-SIP, GBU
Пакет устройств поставщика	GBU
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
GBU8005	Diodes Incorporated	RECT BRIDGE GPP 50V 8A GBU	подробности
GBU8005-G	Comchip Technology	RECTIFIER BRIDGE 8A 50V GBU	подробности
GBU8005GTB	SMC Diode Solutions	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 8A GBU	подробности
GBU8005TB	SMC Diode Solutions	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 8A GBU	подробности
GBU8005_1	DIODES	8.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER	подробности
GBU801	Diodes Incorporated	RECT BRIDGE GPP 100V 8A GBU	подробности
GBU801 D2G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 8A GBU	подробности
GBU801-G	Comchip Technology	RECTIFIER BRIDGE 8A 100V GBU	подробности
GBU801GTB	SMC Diode Solutions	BRIDGE RECT 1PHASE 100V 8A GBU	подробности
GBU801HD2G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 8A GBU	подробности