GBU1006HD2G - Taiwan Semiconductor Corporation

номер части	GBU1006HD2G
Статус детали	Active
Тип диода	Single Phase
Технологии	Standard
Напряжение - Реверс пика (макс.)	800V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	10A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.1V @ 10A
Текущий - обратный утечек @ Vr	5µA @ 800V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	4-SIP, GBU
Пакет устройств поставщика	GBU
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
GBU10005	Diodes Incorporated	RECT BRIDGE GPP 10A 50V GBU	подробности
GBU10005-G	Comchip Technology	RECT BRIDGE GPP 50V 10A GBU	подробности
GBU10005-GBU1010	DIODES	10A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER	подробности
GBU10005TB	SMC Diode Solutions	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBU	подробности
GBU10005_1	DIODES	10A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER	подробности
GBU1001	Diodes Incorporated	RECT BRIDGE GPP 10A 100V GBU	подробности
GBU1001 D2G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBU	подробности
GBU10010	DIODES	10A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER	подробности
GBU1001HD2G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBU	подробности
GBU1001TB	SMC Diode Solutions	BRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A GBU	подробности