1N5230B A0G - Taiwan Semiconductor Corporation

номер части	1N5230B A0G
Статус детали	Active
Напряжение - Zener (Nom) (Vz)	4.7V
Толерантность	±5%
Мощность - макс.	500mW
Импеданс (макс.) (Zzt)	19 Ohms
Текущий - обратный утечек @ Vr	5µA @ 2V
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.1V @ 200mA
Рабочая Температура	100°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	DO-204AH, DO-35, Axial
Пакет устройств поставщика	DO-35
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
1N52	LRC	ZENER DIODES	подробности
1N5220	SEMTECH_ELEC	SILICON PLANAR ZENER DIODES	подробности
1N5221	SEMTECH	SILICON PLANAR ZENER DIODES	подробности
1N5221A	Microsemi Corporation	ZENER DIODE	подробности
1N5221A (DO-35)	Microsemi Corporation	DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35	подробности
1N5221B	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35	подробности
1N5221B (DO-35)	Microsemi Corporation	DIODE ZENER 24V 500MW DO35	подробности
1N5221B A0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35	подробности
1N5221B BK	Central Semiconductor Corp	DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35	подробности
1N5221B TR	Central Semiconductor Corp	DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35	подробности