STP10N60M2 Подробное описание
номер части |
STP10N60M2 |
Статус детали |
Active |
Тип полевого транзистора |
N-Channel |
Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) |
600V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
7.5A (Tc) |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
13.5nC @ 10V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
400pF @ 100V |
Vgs (Макс.) |
±25V |
Функция FET |
- |
Рассеиваемая мощность (макс.) |
85W (Tc) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
600 mOhm @ 3A, 10V |
Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа |
Through Hole |
Пакет устройств поставщика |
TO-220 |
Упаковка / чехол |
TO-220-3 |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ STP10N60M2