| номер части | DME2458-000 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Schottky - Single |
| Напряжение - Реверс пика (макс.) | 3V |
| Текущий - Макс. | 100mA |
| Емкость @ Vr, F | 0.1pF @ 0V, 1MHz |
| Сопротивление @ Если, F | 18 Ohm @ 5mA, 40GHz |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 75mW |
| Рабочая Температура | -65°C ~ 175°C (TA) |
| Упаковка / чехол | - |
| Пакет устройств поставщика | - |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
DME201010R | Panasonic Electronic Components | TRANS NPN/PNP 50V 0.1A MINI5 | подробности |
|
DME201020R | Panasonic Electronic Components | TRANS NPN/PNP 60V 0.5A MINI5 | подробности |
 |
DME2050 | EXSHINE | Silicon Beam-Lead and Chip Schottky Barrier Mixer Diodes | подробности |
 |
DME205010R | Panasonic Electronic Components | TRANS NPN/PNP 50V 0.1A MINI6 | подробности |
|
DME20B010R | Panasonic Electronic Components | TRANS NPN/PNP DARL 50V MINI5 | подробности |
|
DME20C010R | Panasonic Electronic Components | TRANS NPN/PNP DARL 50V MINI5 | подробности |
|
DME2199 | EXSHINE | Silicon Beam-Lead and Chip Schottky Barrier Mixer Diodes | подробности |
|
DME2205 | EXSHINE | Silicon Beam-Lead and Chip Schottky Barrier Mixer Diodes | подробности |
|
DME2206 | EXSHINE | Silicon Beam-Lead and Chip Schottky Barrier Mixer Diodes | подробности |
|
DME2207 | EXSHINE | Silicon Beam-Lead and Chip Schottky Barrier Mixer Diodes | подробности |
