SI88243ED-IS - Silicon Labs

номер части	SI88243ED-IS
Статус детали	Active
Технологии	Capacitive Coupling
Тип	General Purpose
Изолированная мощность	No
Количество каналов	4
Входы - Сторона 1 / Сторона 2	1/3
Тип канала	Unidirectional
Напряжение - изоляция	5000Vrms
Иммунитет переходного периода общего режима (мин.)	40kV/µs
Скорость передачи данных	100Mbps
Задержка распространения tpLH / tpHL (макс.)	12.6ns, 17.5ns (Typ)
Искажение ширины импульса (макс.)	4.8ns (Typ)
Время нарастания / падения (Тип)	2.5ns, 2.5ns
Напряжение - Поставка	3 V ~ 5.5 V
Рабочая Температура	-40°C ~ 125°C
Упаковка / чехол	20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Пакет устройств поставщика	20-SOIC
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SI8800EDB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V MICROFOOT	подробности
SI8802DB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 8V MICROFOOT	подробности
SI8805EDB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 8V MICROFOOT	подробности
SI8806DB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 12V MICROFOOT	подробности
SI8808DB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V MICROFOOT	подробности
SI8809EDB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT	подробности
SI8810EDB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT	подробности
SI8812DB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V MICROFOOT	подробности
SI8816EDB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT	подробности
SI8817DB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V MICROFOOT	подробности