SI8261BAD-C-ISR - Silicon Labs

номер части	SI8261BAD-C-ISR
Статус детали	Active
Технологии	Capacitive Coupling
Количество каналов	1
Напряжение - изоляция	5000Vrms
Иммунитет переходного периода общего режима (мин.)	35kV/µs
Задержка распространения tpLH / tpHL (макс.)	60ns, 50ns
Искажение ширины импульса (макс.)	28ns
Время нарастания / падения (Тип)	5.5ns, 8.5ns
Ток - выход высокий, низкий	500mA, 1.2A
Ток - пиковый выход	4A
Напряжение - Вперед (Vf) (Тип)	2.8V (Max)
Current - DC Forward (If) (Max)	30mA
Напряжение - Поставка	6.5 V ~ 30 V
Рабочая Температура	-40°C ~ 125°C
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Пакет устройств поставщика	6-SDIP
Сертификаты	CQC, CSA, UR, VDE
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SI8261AAC-C-IP	Silicon Labs	DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW	подробности
SI8261AAC-C-IPR	Silicon Labs	DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW	подробности
SI8261AAC-C-IS	Silicon Labs	DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC	подробности
SI8261AAC-C-ISR	Silicon Labs	DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC	подробности
SI8261AAD-C-IM	Silicon Labs	DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 8LGA	подробности
SI8261AAD-C-IMR	Silicon Labs	DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 8LGA	подробности
SI8261AAD-C-IS	Silicon Labs	DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP	подробности
SI8261AAD-C-ISR	Silicon Labs	DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP	подробности
SI8261ABA-C-IS	Silicon Labs	DIGITAL ISOLATOR GATE DRIVER	подробности
SI8261ABA-C-ISR	Silicon Labs	DIGITAL ISOLATOR GATE DRIVER	подробности