| номер части | S4KW2C-1N |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Конфигурация диода | - |
| Тип диода | - |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 2000V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) (на диод) | 16A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 2V @ 12A |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 2µs |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 4µA @ 2000V |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка / чехол | Module |
| Пакет устройств поставщика | - |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
S4K | TSC | 4.0 AMPS. Surface Mount Rectifiers | подробности |
 |
S4K M6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB | подробности |
|
S4K R7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB | подробности |
|
S4K V6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB | подробности |
|
S4K V7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB | подробности |
|
S4KW10C-5 | SEMTECH | STANDARD RECOVERY HIGH POWER DOUBLER AND CENTER TAPS | подробности |
|
S4KW10C-5D | Semtech Corporation | DIODE GEN PURP 10KV 6A MODULE | подробности |
|
S4KW10C-5N | Semtech Corporation | DIODE GEN PURP 10KV 12A MODULE | подробности |
|
S4KW10C-5P | Semtech Corporation | DIODE GEN PURP 10KV 12A MODULE | подробности |
|
S4KW12C-6 | SEMTECH | STANDARD RECOVERY HIGH POWER DOUBLER AND CENTER TAPS | подробности |
