| номер части | 1N5616C.TR |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Avalanche |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 400V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 2A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.1V @ 1A |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 2µs |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 500nA @ 400V |
| Емкость @ Vr, F | 23pF @ 5V, 1MHz |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | Axial |
| Пакет устройств поставщика | Axial |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
1N5610 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 30.5VWM 47.6VC G-PKG | подробности |
 |
1N5611 | Microsemi Corporation | TVS DIODE | подробности |
|
1N5613 | Microsemi Corporation | TVS DIODE C-BODY | подробности |
 |
1N5614 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | подробности |
 |
1N5614GP | VISHAY | 1N5614GP VISHAY DO-15 New Original Stocks | подробности |
 |
1N5614GP-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | подробности |
|
1N5614GP-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | подробности |
|
1N5614GPHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | подробности |
 |
1N5614US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A D5A | подробности |
|
1N5615 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | подробности |
