| номер части | IPBD-08-D |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип соединителя | Receptacle |
| Тип контакта | Female Socket |
| Количество позиций | 16 |
| Подача | 0.165" (4.20mm) |
| Количество строк | 2 |
| Интервал между рядами | 0.165" (4.20mm) |
| Тип монтажа | Free Hanging (In-Line) |
| Контактное соединение | Crimp |
| Тип крепления | Latch Lock |
| цвет | - |
| Особенности | - |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB009N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7 | подробности |
|
IPB009N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7 | подробности |
|
IPB010N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7 | подробности |
|
IPB011N04L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | подробности |
|
IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | подробности |
|
IPB011N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | подробности |
|
IPB014N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7 | подробности |
 |
IPB015N04L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | подробности |
|
IPB015N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | подробности |
|
IPB015N04N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | подробности |
