RUS100N02TB - Rohm Semiconductor

номер части	RUS100N02TB
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	10A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	24nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	2250pF @ 10V
Vgs (Макс.)	±10V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	2W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 10A, 4.5V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SOP
Упаковка / чехол	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Вес	-
Страна происхождения	-