EMD30T2R

EMD30T2R - Rohm Semiconductor

номер части
EMD30T2R
производитель
Rohm Semiconductor
Краткое описание
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
EMD30T2R Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
278869 pcs
Справочная цена
USD 0.0969/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку EMD30T2R

EMD30T2R Подробное описание

номер части EMD30T2R
Статус детали Not For New Designs
Тип транзистора 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100mA, 200mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 50V, 30V
Резистор - основание (R1) (Ом) 10k, 1k
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) 10k
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 2.5mA, 50mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 500nA
Частота - переход 250MHz, 260MHz
Мощность - макс. 150mW
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол SOT-563, SOT-666
Пакет устройств поставщика EMT6
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ EMD30T2R