EMB10T2R

EMB10T2R - Rohm Semiconductor

номер части
EMB10T2R
производитель
Rohm Semiconductor
Краткое описание
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
EMB10T2R Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
EMB10T2R.pdf
категория
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
279411 pcs
Справочная цена
USD 0.0969/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку EMB10T2R

EMB10T2R Подробное описание

номер части EMB10T2R
Статус детали Active
Тип транзистора 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 50V
Резистор - основание (R1) (Ом) 2.2k
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) 47k
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 500nA
Частота - переход 250MHz
Мощность - макс. 150mW
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол SOT-563, SOT-666
Пакет устройств поставщика EMT6
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ EMB10T2R