EMB10T2R Подробное описание
номер части |
EMB10T2R |
Статус детали |
Active |
Тип транзистора |
2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Ток - коллектор (Ic) (макс.) |
100mA |
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) |
50V |
Резистор - основание (R1) (Ом) |
2.2k |
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) |
47k |
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce |
80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic |
300mV @ 250µA, 5mA |
Ток - отсечка коллектора (макс.) |
500nA |
Частота - переход |
250MHz |
Мощность - макс. |
150mW |
Тип монтажа |
Surface Mount |
Упаковка / чехол |
SOT-563, SOT-666 |
Пакет устройств поставщика |
EMT6 |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ EMB10T2R