NP36P04SDG-E1-AY

NP36P04SDG-E1-AY - Renesas Electronics America

номер части
NP36P04SDG-E1-AY
производитель
Renesas Electronics America
Краткое описание
MOSFET P-CH 40V 36A TO-252
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
NP36P04SDG-E1-AY Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
41686 pcs
Справочная цена
USD 0.63/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку NP36P04SDG-E1-AY

NP36P04SDG-E1-AY Подробное описание

номер части NP36P04SDG-E1-AY
Статус детали Active
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 36A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 55nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 2800pF @ 10V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 18A, 10V
Рабочая Температура 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика TO-252 (MP-3ZK)
Упаковка / чехол TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ NP36P04SDG-E1-AY