SID1132KQ - Power Integrations

номер части	SID1132KQ
Статус детали	Active
Технологии	Magnetic Coupling
Количество каналов	1
Напряжение - изоляция	5000Vrms
Иммунитет переходного периода общего режима (мин.)	50kV/µs (Typ)
Задержка распространения tpLH / tpHL (макс.)	340ns, 330ns
Искажение ширины импульса (макс.)	-
Время нарастания / падения (Тип)	450ns, 450ns
Ток - выход высокий, низкий	1.2A, 1.3A
Ток - пиковый выход	2.5A
Напряжение - Вперед (Vf) (Тип)	-
Current - DC Forward (If) (Max)	-
Напряжение - Поставка	22V ~ 28V
Рабочая Температура	-40°C ~ 125°C
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Пакет устройств поставщика	eSOP-R16B
Сертификаты	-
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SID-0515WD	ORIGINAL	SID-0515WD ORIGINAL SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
SID01L60	SECOS	N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET	подробности
SID01N60	SECOS	N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET	подробности
SID100N12	SIRECTIFIER	NPT IGBT Modules	подробности
SID100S12	SIRECTIFIER	SPT IGBT Modules	подробности
SID1102K	Power Integrations	DGTL ISO GATE DRVR	подробности
SID1102K-TL	Power Integrations	DGTL ISO GATE DRVR	подробности
SID1112K	Power Integrations	DGTL ISO GATE DRVR	подробности
SID1112K-TL	Power Integrations	DGTL ISO GATE DRVR	подробности
SID1132K	Power Integrations	OPTOISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B	подробности