DMG563H10R

DMG563H10R - Panasonic Electronic Components

номер части
DMG563H10R
производитель
Panasonic Electronic Components
Краткое описание
TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
DMG563H10R Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
200840 pcs
Справочная цена
USD 0.1279/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку DMG563H10R

DMG563H10R Подробное описание

номер части DMG563H10R
Статус детали Active
Тип транзистора 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 50V
Резистор - основание (R1) (Ом) 47k, 4.7k
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) 47k, 10k
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 250mV @ 500µA, 10mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 500nA
Частота - переход -
Мощность - макс. 150mW
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 5-SMD, Flat Leads
Пакет устройств поставщика SMini5-F3-B
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ DMG563H10R