NTD12N10G Подробное описание
номер части |
NTD12N10G |
Статус детали |
Obsolete |
Тип полевого транзистора |
N-Channel |
Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) |
100V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
12A (Ta) |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
20nC @ 10V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
550pF @ 25V |
Vgs (Макс.) |
±20V |
Функция FET |
- |
Рассеиваемая мощность (макс.) |
1.28W (Ta), 56.6W (Tc) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
165 mOhm @ 6A, 10V |
Рабочая Температура |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип монтажа |
Surface Mount |
Пакет устройств поставщика |
DPAK |
Упаковка / чехол |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ NTD12N10G