NSVDTA115EET1G Подробное описание
номер части |
NSVDTA115EET1G |
Статус детали |
Active |
Тип транзистора |
PNP - Pre-Biased |
Ток - коллектор (Ic) (макс.) |
100mA |
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) |
50V |
Резистор - основание (R1) (Ом) |
100k |
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) |
100k |
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce |
80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic |
250mV @ 300µA, 10mA |
Ток - отсечка коллектора (макс.) |
500nA |
Частота - переход |
- |
Мощность - макс. |
200mW |
Тип монтажа |
Surface Mount |
Упаковка / чехол |
SC-75, SOT-416 |
Пакет устройств поставщика |
SC-75, SOT-416 |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ NSVDTA115EET1G