NSTB60BDW1T1G Подробное описание
| номер части |
NSTB60BDW1T1G |
| Статус детали |
Active |
| Тип транзистора |
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) |
150mA |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) |
50V |
| Резистор - основание (R1) (Ом) |
22k |
| Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) |
47k |
| Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce |
80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic |
250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
| Ток - отсечка коллектора (макс.) |
500nA |
| Частота - переход |
140MHz |
| Мощность - макс. |
250mW |
| Тип монтажа |
Surface Mount |
| Упаковка / чехол |
6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Пакет устройств поставщика |
SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Вес |
- |
| Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ NSTB60BDW1T1G
