NSS40300DDR2G - ON Semiconductor

номер части	NSS40300DDR2G
Статус детали	Active
Тип транзистора	2 PNP (Dual)
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	3A
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	40V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic	170mV @ 200mA, 2A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	100nA (ICBO)
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	180 @ 1A, 2V
Мощность - макс.	653mW
Частота - переход	100MHz
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика	8-SOIC
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
NSS40200LT1G	ON Semiconductor	TRANS PNP 40V 2A SOT-23	подробности
NSS40200UW6T1G	ON Semiconductor	TRANS PNP 40V 2A 6-WDFN	подробности
NSS40201LT1G	ON Semiconductor	TRANS NPN 40V 2A SOT-23	подробности
NSS40300DDR2G	ON Semiconductor	TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC	подробности
NSS40300MDR2G	ON Semiconductor	TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC	подробности
NSS40300MZ4T1G	ON Semiconductor	TRANS PNP 40V 3A SOT-223	подробности
NSS40300MZ4T3G	ON Semiconductor	TRANS PNP 40V 3A SOT-223	подробности
NSS40301MDR2G	ON Semiconductor	TRANS 2NPN 40V 3A 8SOIC	подробности
NSS40301MZ4T1G	ON Semiconductor	TRANS NPN 40V 3A SOT223	подробности
NSS40301MZ4T3G	ON Semiconductor	TRANS NPN 40V 3A SOT-223	подробности