NSBC123EPDXV6T1G

NSBC123EPDXV6T1G - ON Semiconductor

номер части
NSBC123EPDXV6T1G
производитель
ON Semiconductor
Краткое описание
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
NSBC123EPDXV6T1G Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
3761 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку NSBC123EPDXV6T1G

NSBC123EPDXV6T1G Подробное описание

номер части NSBC123EPDXV6T1G
Статус детали Obsolete
Тип транзистора 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 50V
Резистор - основание (R1) (Ом) 2.2k
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) 2.2k
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 8 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 500nA
Частота - переход -
Мощность - макс. 500mW
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол SOT-563, SOT-666
Пакет устройств поставщика SOT-563
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ NSBC123EPDXV6T1G