MUN5112DW1T1G

MUN5112DW1T1G - ON Semiconductor

номер части
MUN5112DW1T1G
производитель
ON Semiconductor
Краткое описание
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
MUN5112DW1T1G Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
3991 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку MUN5112DW1T1G

MUN5112DW1T1G Подробное описание

номер части MUN5112DW1T1G
Статус детали Obsolete
Тип транзистора 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 50V
Резистор - основание (R1) (Ом) 22k
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) 22k
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 500nA
Частота - переход -
Мощность - макс. 250mW
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Пакет устройств поставщика SC-88/SC70-6/SOT-363
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ MUN5112DW1T1G