FCP11N60N-F102 - ON Semiconductor

номер части	FCP11N60N-F102
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	10.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	299 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	35.6nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±30V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1505pF @ 100V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	94W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220F
Упаковка / чехол	TO-220-3 Full Pack
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
FCP110N65F	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 35A TO220	подробности
FCP11N60	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 11A TO-220	подробности
FCP11N60F	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 11A TO-220	подробности
FCP11N60N	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220	подробности
FCP11N60N-F102	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F	подробности
FCP11N60N_F102	Fairchild/ON Semiconductor	FCP11N60N IN TO220 F102 T/F OPTI	подробности