DBD10G-E - ON Semiconductor

номер части	DBD10G-E
Статус детали	Obsolete
Тип диода	Single Phase
Технологии	Standard
Напряжение - Реверс пика (макс.)	600V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.05V @ 500mA
Текущий - обратный утечек @ Vr	10µA @ 600V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Пакет устройств поставщика	-
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
DBD-R2V1	EXSHINE	Dual Mode Bi-directional Dual Input Laser Driver	подробности
DBD-R2V1-D	EXSHINE	Dual Mode Bi-directional Dual Input Laser Driver	подробности
DBD-R2V1-S	EXSHINE	Dual Mode Bi-directional Dual Input Laser Driver	подробности
DBD10G-E	ON Semiconductor	DIODE BRIDGE 1PH 1A 600V 4DIP	подробности
DBD10G-TM-E	ON Semiconductor	DIODE BRIDGE 1PH 1A 600V 4SMD	подробности
DBD250G	ON Semiconductor	DIODE BRIDGE 1PH 25A 600V SIP	подробности