55GN01CA-TB-E - ON Semiconductor

номер части	55GN01CA-TB-E
Статус детали	Active
Тип транзистора	NPN
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	10V
Частота - переход	4.5GHz
Шум (дБ Тип @ f)	1.9dB @ 1GHz
Усиление	9.5dB
Мощность - макс.	200mW
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	100 @ 10mA, 5V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	70mA
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика	3-CP
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
55GN01C-TB-E	SANYO	55GN01C-TB-E SANYO SOT23-.. New Original Stocks	подробности
55GN01CA-TB-E	ON Semiconductor	TRANS NPN BIPOLAR 10V 70MA CP	подробности
55GN01FA-TL-H	ON Semiconductor	TRANS NPN BIPO 70MA 10V SSFP	подробности
55GN01M-TL-E	SANYO	55GN01M-TL-E SANYO SOT323 New Original Stocks	подробности
55GN01MA-TL-E	ON Semiconductor	TRANS NPN BIPO 70MA 10V MCP	подробности