| номер части | 2SK3666-4-TB-E |
|---|---|
| Статус детали | Not For New Designs |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Напряжение - пробой (V (BR) GSS) | 30V |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 30V |
| Текущий - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 2.5mA @ 10V |
| Текущий слив (Id) - Макс. | 10mA |
| Напряжение - обрезание (VGS выключено) @ Id | 180mV @ 1µA |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 4pF @ 10V |
| Сопротивление - RDS (Вкл.) | 200 Ohm |
| Мощность - макс. | 200mW |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Пакет устройств поставщика | 3-CP |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
2SK360(IGE/IGF) | Renesas | 2SK360(IGE/IGF) Renesas SOT-23 New Original Stocks | подробности |
|
2SK3600-01L | FUJI | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | подробности |
|
2SK3600-01S | FUJI | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | подробности |
|
2SK3600-01SJ | FUJI | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | подробности |
|
2SK3601-01 | FUJI | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | подробности |
|
2SK3602-01 | FUJI | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | подробности |
|
2SK3604-01L | FUJI | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | подробности |
|
2SK3604-01S | FUJI | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | подробности |
|
2SK3604-01SJ | FUJI | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | подробности |
|
2SK3606-01 | FUJI | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | подробности |
