PMBFJ108,215 - NXP USA Inc.

номер части	PMBFJ108,215
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение - пробой (V (BR) GSS)	25V
Слив к источнику напряжения (Vdss)	25V
Текущий - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	80mA @ 15V
Текущий слив (Id) - Макс.	-
Напряжение - обрезание (VGS выключено) @ Id	10V @ 1µA
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	30pF @ 10V (VGS)
Сопротивление - RDS (Вкл.)	8 Ohm
Мощность - макс.	250mW
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика	SOT-23 (TO-236AB)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
PMBF107	PHILIPSNXP	PMBF107 PHILIPS/NXP SOT-23 New Original Stocks	подробности
PMBF170	NXP	PMBF170 NXP SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
PMBF170,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23	подробности
PMBF170,235	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23	подробности
PMBF4391,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 40V 250MW SOT23	подробности
PMBF4392,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 40V 250MW SOT23	подробности
PMBF4393	NXP	PMBF4393 NXP SOT23 New Original Stocks	подробности
PMBF4393,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 40V 250MW SOT23	подробности
PMBFJ108	NXP	PMBFJ108 NXP SOT-23 New Original Stocks	подробности
PMBFJ108,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 25V 250MW SOT23	подробности