| номер части | MRFG35003N6AT1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип транзистора | pHEMT FET |
| частота | 3.55GHz |
| Усиление | 10dB |
| Напряжение - испытание | 6V |
| Текущий рейтинг | - |
| Коэффициент шума | - |
| Текущий - Тест | 180mA |
| Выходная мощность | 450mW |
| Напряжение - Номинальное напряжение | 8V |
| Упаковка / чехол | PLD-1.5 |
| Пакет устройств поставщика | PLD-1.5 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
MRFG35002N6AT1 | NXP USA Inc. | FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5 | подробности |
 |
MRFG35002N6R5 | NXP USA Inc. | FET RF 8V 3.55GHZ | подробности |
|
MRFG35002N6T1 | NXP USA Inc. | FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5 | подробности |
 |
MRFG35002N6T1_08 | FREESCALE | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor IC | подробности |
|
MRFG35003ANR5 | NXP USA Inc. | FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5 | подробности |
|
MRFG35003ANT1 | NXP USA Inc. | FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5 | подробности |
|
MRFG35003M6R5 | NXP USA Inc. | FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD | подробности |
|
MRFG35003M6T1 | NXP USA Inc. | FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD | подробности |
|
MRFG35003MT1 | NXP USA Inc. | FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD | подробности |
|
MRFG35003N6AT1 | NXP USA Inc. | FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5 | подробности |
