| номер части | MRF6VP11KGSR5 |
|---|---|
| Статус детали | Last Time Buy |
| Тип транзистора | LDMOS (Dual) |
| частота | 130MHz |
| Усиление | 26dB |
| Напряжение - испытание | 50V |
| Текущий рейтинг | - |
| Коэффициент шума | - |
| Текущий - Тест | 150mA |
| Выходная мощность | 1000W |
| Напряжение - Номинальное напряжение | 110V |
| Упаковка / чехол | NI-1230S-4 GW |
| Пакет устройств поставщика | NI-1230S-4 GullWing |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF6V10010NR4 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5 | подробности |
|
MRF6V10250HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.09GHZ NI780S | подробности |
|
MRF6V10250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.09GHZ NI780S | подробности |
 |
MRF6V12250HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 | подробности |
|
MRF6V12250HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 | подробности |
|
MRF6V12250HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S | подробности |
|
MRF6V12250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S | подробности |
|
MRF6V12500GSR5 | NXP USA Inc. | PULSED LATERAL N-CHANNEL RF POWE | подробности |
|
MRF6V12500HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H | подробности |
|
MRF6V12500HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H | подробности |
