J110,126 - NXP USA Inc.

номер части	J110,126
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение - пробой (V (BR) GSS)	25V
Слив к источнику напряжения (Vdss)	25V
Текущий - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	10mA @ 5V
Текущий слив (Id) - Макс.	-
Напряжение - обрезание (VGS выключено) @ Id	4V @ 1µA
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	30pF @ 0V
Сопротивление - RDS (Вкл.)	18 Ohm
Мощность - макс.	400mW
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Пакет устройств поставщика	TO-92-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
J11.3300.01	STAUEU	J11.3300.01 STAUEU SOP-16 New Original Stocks	подробности
J110	Central Semiconductor Corp	JFET N-CH TO-92	подробности
J110,126	NXP USA Inc.	JFET N-CH 25V 0.4W SOT54	подробности
J1109	EXSHINE	Mini size of Discrete semiconductor elements	подробности
J110G	ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 0.31W TO92	подробности
J110RLRAG	ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 0.31W TO92	подробности
J110_D26Z	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 625MW TO92	подробности
J110_D75Z	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 625MW TO92	подробности
J111	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 35V 625MW TO92	подробности
J111,126	NXP USA Inc.	JFET N-CH 40V 400MW TO92-3	подробности